对比图
型号 BS62LV4006EIP55 R1LP0408CSB-5SI LY62W5128WL-55LLI
描述 BSI (BRILLIANCE SEMICONDUCTOR) BS62LV4006EIP55 芯片, SRAM, 4M, 512KX8, 2.4-5.5V, SMDRENESAS R1LP0408CSB-5SI 芯片, 存储器, SRAM, 4Mb, 5V, 55NS, 32TSOPLYONTEK LY62W5128WL-55LLI 芯片, 存储器, SRAM, 4M, 512KX8, 2.7-5.5V, 32TSOPII
数据手册 ---
制造商 BSI Renesas Electronics (瑞萨电子) Lyontek
分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount - -
引脚数 32 32 32
封装 TSOP TSOP TSOP
针脚数 32 32 32
存取时间 55 ns 55 ns 55 ns
内存容量 500000 B 500000 B 500000 B
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 2.4V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 2.7V ~ 5.5V
电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
电源电压(Min) 2.4 V 4.5 V 2.7 V
电源电压(DC) - 4.50V (min) 2.70V (min)
工作电压 - 4.5V ~ 5.5V -
位数 - 8 -
存取时间(Max) - 55 ns -
封装 TSOP TSOP TSOP
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 Each Each Each
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC