L6392D013TR和L6393D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 L6392D013TR L6393D

描述 高电压高侧和低侧驱动器 High-voltage high and low side driverSTMICROELECTRONICS  L6393D  驱动器, IGBT, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 430mA输出, 125ns延迟, SOIC-14

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC SOIC-14

引脚数 - 14

封装 SOIC SOIC-14

长度 - 8.75 mm

宽度 - 4 mm

高度 - 1.65 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

频率 - 0.8 MHz

电源电压(DC) - 10.0V (min)

上升/下降时间 - 75ns, 35ns

输出接口数 - 1

输出电压 - 580 V

针脚数 - 14

耗散功率 - 800 mW

上升时间 - 75 ns

下降时间 - 35 ns

下降时间(Max) - 70 ns

上升时间(Max) - 120 ns

工作温度(Max) - 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

耗散功率(Max) - 800 mW

电源电压 - 10V ~ 20V

电源电压(Max) - 20 V

电源电压(Min) - 10 V

工作温度 - -40℃ ~ 125℃

ECCN代码 - EAR99

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