CY14B104N-ZS25XI和CY14B104NA-ZS25XI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY14B104N-ZS25XI CY14B104NA-ZS25XI CY14B104NA-ZS25XIT

描述 4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAMRAM,Cypress Semiconductor### 非易失 RAM (NVRAM)NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 (RTC)。4兆位( 512K的X二百五十六分之八的K× 16 )的nvSRAM为20 ns , 25 ns的,和45 ns访问时间 4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 44 44 44

封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

存取时间 25 ns 25 ns -

存取时间(Max) 25 ns 25 ns 25 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

频率 - 1 MHz -

工作电压 - 3 V -

供电电流 - 70 mA -

针脚数 - 44 -

时钟频率 - 1 MHz -

耗散功率 - 1 W -

耗散功率(Max) - 1 W -

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 2.7 V -

长度 18.52 mm 18.52 mm -

宽度 10.26 mm 10.262 mm -

高度 1.04 mm 1.044 mm -

封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a

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