IPB034N03L G和IPB03N03LA G

对比图

型号 IPB034N03L G IPB03N03LA G IPB03N03LB

描述 INFINEON  IPB034N03L G  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 2.8 mohm, 10 V, 1 VMOSFET N-CH 25V 80A TO-263OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - -

封装 TO-263-3 TO-263-3-2 TO-263-3

针脚数 3 - -

漏源极电阻 2.8 mΩ - -

极性 N-Channel - N-CH

耗散功率 94 W 150 W 150W (Tc)

阈值电压 1 V - -

漏源极电压(Vds) 30 V 25 V 30 V

上升时间 6.4 ns - -

输入电容(Ciss) 5300pF @15V(Vds) 7027pF @15V(Vds) 7624pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 94 W 150 W -

下降时间 5.4 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 94W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)

额定电压(DC) - 25.0 V 30.0 V

额定电流 - 80.0 A 80.0 A

输入电容 - 7.03 nF 7.62 nF

栅电荷 - 57.0 nC 59.0 nC

连续漏极电流(Ids) - 80.0 A 80.0 A

长度 10 mm - -

宽度 9.25 mm - -

高度 4.4 mm - -

封装 TO-263-3 TO-263-3-2 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -