TLC272CDR和TS27M2IDT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC272CDR TS27M2IDT TLC272CD

描述 TEXAS INSTRUMENTS  TLC272CDR  双精密运算放大器STMICROELECTRONICS  TS27M2IDT  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 16V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  TLC272CD  运算放大器, 双路, 1.3 MHz, 2个放大器, 3.6 V/µs, 3V 至 16V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - - 5.00 V

工作电压 3V ~ 16V - 3V ~ 16V

输出电流 ≤30 mA 60 mA ≤30 mA

供电电流 1.9 mA 150 µA 1.9 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

耗散功率 0.725 W - 0.725 W

共模抑制比 65 dB 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 1.80 µV/K - 1.80 µV/K

带宽 1.7 MHz 1 MHz 1.3 MHz

转换速率 3.60 V/μs 600 mV/μs 3.60 V/μs

增益频宽积 1.7 MHz 1 MHz 1.7 MHz

输入补偿电压 1.1 mV 1.1 mV 1.1 mV

输入偏置电流 0.7 pA 1 pA 0.7 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 125 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 2.2 MHz 1 MHz 2.2 MHz

耗散功率(Max) 725 mW - 725 mW

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

电源电压 3V ~ 16V 3V ~ 16V 3V ~ 16V

电源电压(Max) 16 V 16 V 16V ~ 17V

电源电压(Min) 3 V 3 V -

长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.91 mm 3.9 mm 3.91 mm

高度 1.58 mm 1.25 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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