JAN1N4117-1和JANTXV1N4117D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N4117-1 JANTXV1N4117D 1N5253B-TR

描述 硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES齐纳二极管 500mW,1N52xx 系列,Vishay Semiconductor### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) VISHAY (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 - 2

封装 DO-35 DO-35 DO-35

耗散功率 480 mW 500 mW 500 mW

测试电流 0.25 mA - 5 mA

稳压值 25 V 25 V 25 V

稳压电流 - - 5 mA

正向电压(Max) - - 1.1V @200mA

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 500 mW

容差 ±5 % - -

正向电压 1.1V @200mA - -

额定功率(Max) 500 mW - -

长度 5.08 mm - 3.9 mm

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Bag - Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 10000

RoHS标准 Non-Compliant -

含铅标准 - Lead Free

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -

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