对比图
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR TIP30C 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 3 MHz, 30 W, -1 A, 15 hFEPower PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。PNP 功率晶体管，STMicroelectronics ### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
频率 3 MHz 3 MHz 3 MHz
额定电压(DC) -100 V -100 V -100 V
额定电流 -1.00 A -1.00 A -15.0 A
针脚数 3 - 3
极性 PNP PNP PNP, P-Channel
耗散功率 30 W 2 W 90 W
增益频宽积 - - 3 MHz
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V
最小电流放大倍数(hFE) 15 @1A, 4V 15 @1A, 4V 15 @5A, 4V
最大电流放大倍数(hFE) 75 75 150
额定功率(Max) 2 W 2 W 90 W
直流电流增益(hFE) 15 - 40
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 30 W 90 W
集电极最大允许电流 - 1A -
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.4 mm
宽度 4.83 mm 4.83 mm 4.6 mm
高度 9.4 mm 16.51 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Bulk Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99