71V35761S183BGG8和71V35761SA183BGG8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V35761S183BGG8 71V35761SA183BGG8

描述 静态随机存取存储器 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST 静态随机存取存储器IC SRAM 4.5Mbit 183MHz 119BGA

数据手册 --

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 119 119

封装 PBGA-119 PBGA-119

电源电压 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V

存取时间 3.3 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ -

长度 14 mm 14.0 mm

宽度 22 mm 22.0 mm

封装 PBGA-119 PBGA-119

厚度 2.15 mm 2.15 mm

高度 2.15 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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