对比图
型号 SIHF22N60E-E3 SIHF22N60E-GE3 SPA20N60C3XKSA1
描述 VISHAY SIHF22N60E-E3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 VVISHAY SIHF22N60E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 VINFINEON SPA20N60C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 中高压MOS管中高压MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.15 Ω 0.15 Ω 0.16 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 227 W 35 W 34.5 W
阈值电压 2 V 2 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 650 V
输入电容(Ciss) 1920pF @100V(Vds) - 2400pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 35 W - 34.5W (Tc)
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 600 V -
上升时间 - 27 ns 5 ns
下降时间 - 35 ns 4.5 ns
连续漏极电流(Ids) - - 20.7A
额定功率(Max) - - 34.5 W
长度 10.63 mm - 10.65 mm
宽度 4.83 mm - 4.85 mm
高度 16.12 mm - 16.15 mm
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
包装方式 - Tube Tube
产品生命周期 - - Not Recommended for New Designs