对比图
型号 IXFP3N120 IXTP3N120 IXTH3N120
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFP3N120 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 120 V, 4.5 ohm, 10 V, 5 VIXYS SEMICONDUCTOR IXTP3N120 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 1.2 kV, 4.5 ohm, 10 V, 5 VTrans MOSFET N-CH 1.2kV 3A 3Pin(3+Tab) TO-247
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管中高压MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3
通道数 - - 1
漏源极电阻 4.5 Ω 4.5 Ω 4.5 Ω
耗散功率 200 W 200 W 150 W
阈值电压 5 V 5 V 4.5 V
漏源极电压(Vds) 120 V 1.2 kV 1200 V
漏源击穿电压 - - 1200 V
上升时间 15 ns 35 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 1050pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)
下降时间 18 ns - 18 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc) 200W (Tc)
针脚数 3 3 -
极性 N-Channel N-Channel -
连续漏极电流(Ids) 3.00 A 3.00 A -
额定功率(Max) 200 W 200 W -
额定电压(DC) - 1.20 kV -
额定电流 - 3.00 A -
反向恢复时间 - 700 ns -
长度 - - 16.26 mm
宽度 - - 5.3 mm
高度 - - 21.46 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -