MTP4N40E和STP5NB40

对比图

型号 MTP4N40E STP5NB40 IRF722

描述 TO-220 N-CH 400V 4AN - 沟道增强型MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFETTO-220 N-CH 400V 2.8A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 74.0 W 80W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 400 V 400 V 400 V

连续漏极电流(Ids) 4.00 A 4.70 A 2.8A

额定电压(DC) - 400 V -

额定电流 - 4.70 A -

漏源极电阻 - 1.75 Ω -

漏源击穿电压 - 400 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

上升时间 - 8.00 ns -

输入电容(Ciss) - 405pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 80 W -

耗散功率(Max) - 80W (Tc) -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 - 150℃ (TJ) -