IRF7452TR和IRF7452TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7452TR IRF7452TRPBF FDS3692

描述 SOIC N-CH 100V 4.5AINFINEON  IRF7452TRPBF  场效应管, MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS3692  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 100 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - 100 V 100 V

额定电流 - 4.50 A 4.5 A

额定功率 - 2.5 W -

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.06 Ω 0.05 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W 2.5 W

产品系列 - IRF7452 -

阈值电压 - 5.5 V 4 V

输入电容 - 930 pF 746 pF

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 4.5A 4.50 A 4.50 A

上升时间 11 ns 11 ns 26 ns

输入电容(Ciss) 930pF @25V(Vds) 930pF @25V(Vds) 746pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W

下降时间 13 ns 13 ns 26 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

栅电荷 - - 11.0 nC

漏源击穿电压 - - 100 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99

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