HMC292ALC3B和HMC292LC3BTR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 HMC292ALC3B HMC292LC3BTR HMC292LC3B

描述 IC MMIC MIXER HI IP3 12-QFN射频混合器 GaAs MMIC Fundamental mix , 16 - 30 GHzIC MMIC MIXER HI IP3 12-QFN

数据手册 ---

制造商 Hittite ADI (亚德诺) Hittite

分类 RF射频器件RF射频器件

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 12 -

封装 - QFN-12 VFCQFN-12

频率 18GHz ~ 32GHz 16GHz ~ 30GHz 16GHz ~ 30GHz

耗散功率 - 260 mW -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

耗散功率(Max) - 260 mW -

封装 - QFN-12 VFCQFN-12

产品生命周期 - End of Life -

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Contains Lead 无铅

ECCN代码 - EAR99 -

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