BSP372和BSP372L6327

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP372 BSP372L6327 IRFL4310TRPBF

描述 SIPMOS小信号晶体管 SIPMOS Small-Signal TransistorINFINEON  BSP372L6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 100 V, 0.24 ohm, 5 V, 1.9 VINFINEON  IRFL4310TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 100 V, 200 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-223 SOT-223 TO-261-4

引脚数 - 3 4

极性 N-CH N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 1.7A 1.70 A 2.2A

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 1.70 A -

针脚数 - 3 4

漏源极电阻 - 0.24 Ω 0.2 Ω

耗散功率 - 1.8 W 2.1 W

阈值电压 - 1.9 V 4 V

输入电容 - 520 pF -

输入电容(Ciss) - 520pF @25V(Vds) 330pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 1.8 W 1 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) - 150 ℃ -

额定功率 - - 2.1 W

上升时间 - - 18 ns

下降时间 - - 20 ns

耗散功率(Max) - - 1W (Ta)

封装 SOT-223 SOT-223 TO-261-4

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

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