CYDM256A16-55BVXC和CYDMX256A16-65BVXI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CYDM256A16-55BVXC CYDMX256A16-65BVXI CYDM256B16-55BVXIT

描述 1.8V 4K / 8K / 16K ×16和8K / 16K ×8 MoBL㈢双口静态RAM 1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL㈢ Dual-Port Static RAM16 K / 8 K / 4 KB ×16的MoBL ADM 16 K / 8 K / 4 KB ×16的MoBL ADM高速接入 16 K/8 K/4 K x 16 MoBL ADM 16 K/8 K/4 K x 16 MoBL ADM High speed accessSRAM Chip Async Dual 1.8V 256Kbit 16K x 16 55ns 100Pin VFBGA T/R

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 - 100 100

封装 VFBGA VFBGA-100 VFBGA-100

安装方式 - Surface Mount -

位数 - - 16

存取时间 - 65 ns 55 ns

存取时间(Max) - - 55 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压 - 1.8V ~ 3.3V -

封装 VFBGA VFBGA-100 VFBGA-100

高度 - 0.66 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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