对比图
型号 1N4712D JAN1N5544D-1 1N5544D
描述 DO-35 28V 0.5W(1/2W)低电压表面贴装500 mW的雪崩二极管 Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes28V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH
数据手册 ---
制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) Motorola (摩托罗拉)
分类 齐纳二极管
安装方式 Through Hole Through Hole -
封装 DO-35 DO-35-2 -
耗散功率 500 mW - -
稳压值 28 V 28 V -
容差 - ±1 % -
正向电压 - 1.1V @200mA -
额定功率(Max) - 500 mW -
封装 DO-35 DO-35-2 -
长度 - 5.08 mm -
产品生命周期 Active Active Obsolete
工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -
RoHS标准 - -
含铅标准 - -