FDD7N20TM和FQD7N20TM

对比图

型号 FDD7N20TM FQD7N20TM BSP297L6327

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD7N20TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 0.58 ohm, 10 V, 5 VTrans MOSFET N-CH 200V 5.3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RMosfet n-Ch 200V 660mA Sot-223 - Bsp297 L6327

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-261

通道数 1 1 -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.58 Ω 690 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 43 W 2.5 W 1.50 W

阈值电压 5 V - -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V 200 V -

连续漏极电流(Ids) 5A 5.30 A 200 mA

上升时间 30 ns - -

输入电容(Ciss) 250pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds) 357pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 43 W 2.5 W 1.8 W

下降时间 10 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 43 W 2.5W (Ta), 45W (Tc) -

额定电压(DC) - 200 V 200 V

额定电流 - 5.30 A 660 mA

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

输入电容 - - 45.0 pF

栅电荷 - - 1.50 nC

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm 6.1 mm -

高度 2.39 mm - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-261

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -