HUF76629D3S和IXFH20N60

对比图

型号 HUF76629D3S IXFH20N60 NTE2380

描述 20A ， 100V ， 0.054 Ohm的N通道，逻辑电平UltraFET功率MOSFET 20A, 100V, 0.054 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETIXYS SEMICONDUCTOR  IXFH20N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 350 mohm, 10 V, 4.5 VTO-220 N-CH 500V 2.5A

数据手册 ---

制造商 Intersil (英特矽尔) IXYS Semiconductor NTE Electronics

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 - TO-247-3 TO-220

漏源极电阻 - 350 mΩ 3 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 300 W 40 W

阈值电压 - 4.5 V 4 V

漏源极电压(Vds) - 600 V 500 V

漏源击穿电压 - 300 V 500 V

连续漏极电流(Ids) - 20.0 A 2.50 A

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 20.0 A -

针脚数 - 3 -

输入电容 - 3.30 nF -

栅电荷 - 90.0 nC -

上升时间 - 43 ns -

输入电容(Ciss) - 4500pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 300 W -

下降时间 - 40 ns -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

工作结温(Max) - 150 ℃ -

耗散功率(Max) - 300W (Tc) -

封装 - TO-247-3 TO-220

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - - EAR99

HTS代码 - - 85412900951

材质 - Silicon -

重量 - 6 g -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -