IS45VM16800E-75BLA2和IS45VM16800H-75BLA2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS45VM16800E-75BLA2 IS45VM16800H-75BLA2 W987D6HBGX6E

描述 Ic Sdram 128Mbit 133MHz 54bgaIc Sdram 128Mbit 133MHz 54bgaDRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 54Pin VFBGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 - - 54

封装 TFBGA-54 TFBGA-54 TFBGA-54

位数 - - 16

存取时间(Max) - - 6ns, 5.4ns

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -25 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

封装 TFBGA-54 TFBGA-54 TFBGA-54

工作温度 -40℃ ~ 105℃ (TA) -40℃ ~ 105℃ (TA) -25℃ ~ 85℃

产品生命周期 Obsolete Active Not For New Designs

包装方式 - - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

ECCN代码 - - EAR99

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