IXTA6N50P和IXTP6N50P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA6N50P IXTP6N50P

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 6A 3Pin(2+Tab) D2PAKTrans MOSFET N-CH 500V 6A 3Pin(3+Tab) TO-220

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole

封装 TO-263-3 TO-220-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) 500 V 500 V

额定电流 6.00 A 6.00 A

耗散功率 100W (Tc) 100 W

输入电容 740 pF 740 pF

栅电荷 14.6 nC 14.6 nC

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 6.00 A 6.00 A

输入电容(Ciss) 740pF @25V(Vds) 740pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 100W (Tc) 100W (Tc)

通道数 - 1

漏源极电阻 - 1.1 Ω

漏源击穿电压 - 500 V

上升时间 - 28 ns

下降时间 - 26 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

封装 TO-263-3 TO-220-3

长度 - 10.66 mm

宽度 - 4.83 mm

高度 - 9.15 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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