STF20NF06L和STP36NF06FP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STF20NF06L STP36NF06FP STP30NE06FP

描述 N沟道60V - 0.06ヘ - 20A - D2PAK / TO- 220 / TO- 220FP STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.06ヘ - 20A - D2PAK/TO-220/TO-220FP STripFET⑩ II Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP36NF06FP  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 60 V, 40 mohm, 10 V, 4 VN - CHANNEL 60V - 0.042欧姆 - 30A - TO- 220 / TO- 220FP的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.042 ohm - 30A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 28W (Tc) 25 W -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 18.0 A 17A

上升时间 30 ns 40 ns -

输入电容(Ciss) 400pF @25V(Vds) 690pF @25V(Vds) -

下降时间 6 ns 9 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 28W (Tc) 25000 mW -

额定功率 - 25 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.04 Ω -

阈值电压 - 4 V -

额定功率(Max) - 25 W -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 9.3 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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