对比图
型号 FDPF20N50 IRFI3205PBF STP20NM50FD
描述 UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.008Ω; ID 64A; TO-220 Full-Pak; PD 63W; -55deN沟道500V - 0.22W - 20A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK FDmesh⑩功率MOSFET （具有快速二极管） N-CHANNEL 500V - 0.22W - 20A TO-220/TO-220FP/D2PAK FDmesh⑩ Power MOSFET (with FAST DIODE)
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 1 1
漏源极电阻 230 mΩ 0.008 Ω 250 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 38.5 W 63 W 192 W
输入电容 3.12 nF 4000pF @25V 1380 pF
栅电荷 59.5 nC - -
漏源极电压(Vds) 500 V 55 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 55 V 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 20.0 A 64.0 A 20.0 A
上升时间 375 ns 100 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 3120pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds) 1380pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 38.5 W 63 W 192 W
下降时间 105 ns - 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 38.5W (Tc) - 192W (Tc)
额定电压(DC) - 55.0 V 500 V
额定电流 - 64.0 A 20.0 A
产品系列 - IRFI3205 -
阈值电压 - 4 V 4 V
隔离电压 - 2 kV -
长度 10.36 mm 10.75 mm 10.4 mm
宽度 4.9 mm - 4.6 mm
高度 16.07 mm 9.8 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Rail, Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2014/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -