对比图
型号 DS1225AD-200+ DS1225AD-200IND+ M48Z08-100PC1
描述 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1225AD-200+ 芯片, 存储器, NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1225AD-200IND+ 芯片, 存储器, NVRAMSTMICROELECTRONICS M48Z08-100PC1 芯片, SRAM, ZEROPOWER? 64K
数据手册 ---
制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 RAM芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 28 28 28
封装 EDIP-28 EDIP-28 DIP-28
电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)
电容 - - 10 pF
供电电流 75 mA - 80 mA
针脚数 28 28 28
时钟频率 200 GHz 200 GHz 100 GHz
存取时间 200 ns 200 ns 100 ns
内存容量 8000 B 8000 B 8000 B
存取时间(Max) 200 ns - 100 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.5V
电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V 4.75 V
工作电压 4.5V ~ 5.5V - -
长度 39.37 mm - 39.88 mm
宽度 18.8 mm 18.29 mm 18.34 mm
高度 9.35 mm - 8.89 mm
封装 EDIP-28 EDIP-28 DIP-28
工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Each Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99