1N6130US和JAN1N6130US

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6130US JAN1N6130US JANTX1N6130US

描述 E-MELF 76V 500WE-MELF 76V 500WTrans Voltage Suppressor Diode, 500W, 76V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Sensitron Semiconductor

分类 二极管

基础参数对比

封装 E-MELF SQ-MELF -

安装方式 - Surface Mount -

最大反向电压(Vrrm) 76V 76V -

脉冲峰值功率 500 W 500 W -

最小反向击穿电压 - 90.25 V -

封装 E-MELF SQ-MELF -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Bulk -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

RoHS标准 - -

含铅标准 - -

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