RD3H160SPTL1和RSD160P05TL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RD3H160SPTL1 RSD160P05TL

描述 晶体管, MOSFET, P沟道, -16 A, -45 V, 0.035 ohm, -10 V, -3 VP 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.035 Ω 0.035 Ω

耗散功率 20 W 20 W

阈值电压 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 45 V 45 V

上升时间 22 ns 22 ns

输入电容(Ciss) 2000 pF 2000pF @10V(Vds)

下降时间 50 ns 50 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 20W (Tc) 20W (Tc)

极性 - P-Channel

额定功率(Max) - 20 W

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.5 mm

宽度 - 5.5 mm

高度 - 2.5 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon

产品生命周期 Active Not Recommended

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台