LM358DR2G和SC358NG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM358DR2G SC358NG LM2904VQDRQ1

描述 ON SEMICONDUCTOR  LM358DR2G.  运算放大器IC OPAMP 8DIPTEXAS INSTRUMENTS  LM2904VQDRQ1  运算放大器, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, 3V 至 32V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8

长度 5 mm - 4.9 mm

宽度 4 mm - 3.91 mm

高度 1.5 mm - 1.58 mm

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Rail Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

输出电流 40 mA - 30mA @15V

供电电流 1.5 mA - 1 mA

电路数 2 - 2

通道数 2 - 2

针脚数 8 - 8

共模抑制比 70 dB - 65dB ~ 80dB

输入补偿漂移 - - 7.00 µV/K

带宽 1 MHz - 700 kHz

转换速率 600 mV/μs - 300 mV/μs

增益频宽积 1 MHz - 700 kHz

输入补偿电压 2 mV - 3 mV

输入偏置电流 45 nA - 20 nA

工作温度(Max) 70 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - -40 ℃

增益带宽 1 MHz - 0.7 MHz

共模抑制比(Min) 65 dB - 65 dB

电源电压 3V ~ 32V - 3V ~ 32V

电源电压(Max) 32 V - 32 V

电源电压(Min) 3 V - 3 V

工作电压 3V ~ 32V - -

无卤素状态 Halogen Free - -

输入电压 0V ~ 28.3V - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ - -40℃ ~ 125℃

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台