FDS2670和FDS2670_NL的区别_FDS2670代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS2670 FDS2670_NL

描述 200V N沟道PowerTrench MOSFET的 200V N-Channel PowerTrench MOSFET200V N-Channel PowerTrench MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 -

封装 SOIC-8 SOIC

额定电压(DC) 200 V -

额定电流 3.00 A -

通道数 1 -

漏源极电阻 0.13 Ω -

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 2.5 W -

阈值电压 4 V -

输入电容 1.23 nF -

栅电荷 27.0 nC -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 3A

上升时间 8 ns -

输入电容(Ciss) 1228pF @100V(Vds) -

额定功率(Max) 1 W -

下降时间 25 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) -

针脚数 - -

长度 4.9 mm -

宽度 3.9 mm -

高度 1.75 mm -

封装 SOIC-8 SOIC

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99