IXTA02N250HV和IXTH02N250

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA02N250HV IXTH02N250 IXTV02N250S

描述 TO-263AB N-CH 2500V 0.2AN沟道,2500V,200mA,450Ω@10VPLUS220 N-CH 2500V 0.2A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-247-3 PLUS-220SMD

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 83 W 83W (Tc) 83W (Tc)

漏源极电压(Vds) 2500 V 2500 V 2500 V

连续漏极电流(Ids) 0.2A 0.2A 0.2A

上升时间 19 ns 19 ns -

输入电容(Ciss) 116pF @25V(Vds) 116pF @25V(Vds) 116pF @25V(Vds)

下降时间 33 ns 33 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 83W (Tc) 83W (Tc) 83W (Tc)

封装 TO-263-3 TO-247-3 PLUS-220SMD

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台