JAN2N3792和JANTX2N3792

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N3792 JANTX2N3792 2N3792

描述 PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTORPNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Power SW

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-3 TO-3 TO-3-2

耗散功率 - 5 W 150 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 30 @3A, 2V 30 @3A, 2V 50 @1A, 2V

额定功率(Max) 5 W 5 W 150 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 5000 mW 5000 mW 150000 mW

封装 TO-3 TO-3 TO-3-2

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Box

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

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