IXFH160N15T和IXFH160N15T2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH160N15T IXFH160N15T2 IXTH160N15T

描述 Trans MOSFET N-CH 150V 160A 3Pin(3+Tab) TO-247N沟道 150V 160ATO-247 N-CH 150V 160A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 - 3 -

耗散功率 830W (Tc) 880W (Tc) 830W (Tc)

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

输入电容(Ciss) 8800pF @25V(Vds) 15000pF @25V(Vds) 8800pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 830W (Tc) 880W (Tc) 830W (Tc)

通道数 - 1 -

极性 - N-CH N-CH

阈值电压 - 4.5 V -

连续漏极电流(Ids) - 160A 160A

上升时间 - 15 ns -

下降时间 - 26 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

宽度 - 5.3 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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