KM41C4002BP-6和TC514100APL-10

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KM41C4002BP-6 TC514100APL-10 KM41C4002CP-8

描述 Static Column DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-184194304 Word X 1Bit Dynamic RAMStatic Column DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18

数据手册 ---

制造商 Samsung (三星) Toshiba (东芝) Samsung (三星)

分类

基础参数对比

封装 DIP DIP DIP

引脚数 18 - -

封装 DIP DIP DIP

长度 22.02 mm - -

宽度 7.62 mm - -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

RoHS标准 - RoHS Compliant -

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