BLF8G27LS-140,112和BLF8G27LS-140,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF8G27LS-140,112 BLF8G27LS-140,118

描述 RF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 17.4dB, 140W, 32V, LDMOS, SOT502BRF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 17.4dB, 140W, 32V, LDMOS, SOT502B

数据手册 --

制造商 Ampleon USA Ampleon USA

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-502 SOT-502

频率 2.62GHz ~ 2.69GHz 2.62GHz ~ 2.69GHz

输出功率 45 W 45 W

增益 17.4 dB 17.4 dB

测试电流 1.3 A 1.3 A

工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

额定电压 65 V 65 V

电源电压 32 V 32 V

封装 SOT-502 SOT-502

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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