IS41C16256-60K和KM416C254BJ-6

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS41C16256-60K KM416C254BJ-6 51426-5

描述 DRAM Chip EDO 4Mbit 256Kx16 5V 40Pin SOJEDO DRAM, 256KX16, 60ns, CMOS, PDSO40, SOJ-40EDO DRAM, 256KX16, 60ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Samsung (三星) HITACHI (日立)

分类

基础参数对比

封装 SOJ SOJ SOJ

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 40 - -

封装 SOJ SOJ SOJ

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

位数 16 - -

存取时间(Max) 60 ns - -

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

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