FQB11N40C和IRFW740BTM_NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQB11N40C IRFW740BTM_NL IRFW740BTM

描述 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET400V N-Channel B-FET / Substitute of IRFW740AN沟道 400V 10A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

封装 D2PAK D2PAK D2PAK

漏源极电阻 - - 540 mΩ

极性 N-CH - N-Channel

耗散功率 - - 3.13 W

漏源极电压(Vds) 400 V - 400 V

漏源击穿电压 - - 400 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 10.5A - 10.0 A

封装 D2PAK D2PAK D2PAK

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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