对比图
描述 INFINEON IRFB4310PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 100 V, 5.6 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IRFB4310ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 127 A, 100 V, 0.0056 ohm, 20 V, 4 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 330 W 250 W
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.0056 Ω 0.0056 Ω
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 300 W 250 W
阈值电压 4 V 4 V
输入电容 7670 pF 6860 pF
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 130A 127A
上升时间 110 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 7670pF @50V(Vds) 6860pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 250 W
下降时间 78 ns 57 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 250000 mW
漏源击穿电压 - 100 V
额定电压(DC) - -
额定电流 - -
产品系列 - -
长度 10.66 mm 10.67 mm
宽度 4.82 mm 4.83 mm
高度 9.02 mm 9.02 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 - -