JAN1N5525D-1和JANTXV1N5525D-1

对比图

型号 JAN1N5525D-1 JANTXV1N5525D-1 1N5525DLEADFREE

描述 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWZener Diode, 6.2V V(Z), 1%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 齐纳二极管齐纳二极管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-204AH DO-204AH -

容差 ±1 % ±1 % -

正向电压 1.1V @200mA 1.1V @200mA -

稳压值 6.2 V 6.2 V -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

封装 DO-204AH DO-204AH -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 -