对比图
型号 MRF8P20140WHSR3 MRF8P20140WHSR5 MRF8S18120HR3
描述 RF Power Transistor,1880 to 2025MHz, 140W, Typ Gain in dB is 16 @ 1920MHz, 28V, LDMOS, SOT1826Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1880-2025MHz, 24W Avg., 28VGSM, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1805-1880MHz, 72W CW, 28V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 晶体管晶体管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 5 - 3
封装 NI-780HS-4 NI-780HS-4 NI-780H-2L
频率 1.88GHz ~ 1.91GHz 1.88GHz ~ 1.91GHz 1.81 GHz
额定电流 - - 10 µA
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free
输出功率 24 W 24 W 72 W
增益 16 dB 16 dB 18.2 dB
测试电流 500 mA 500 mA 800 mA
工作温度(Max) 125 ℃ - 225 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
额定电压 65 V 65 V 65 V
电源电压 28 V - -
封装 NI-780HS-4 NI-780HS-4 NI-780H-2L
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - EAR99
重量 3086.1 mg - -