BD249B和BD249B-S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD249B BD249B-S BD249

描述 NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORSSOT-93 NPN 80V 25ASilicon NPN Power Transistors

数据手册 ---

制造商 Bourns J.W. Miller (伯恩斯) Bourns J.W. Miller (伯恩斯) Inchange Semiconductor

分类 电流滤波器件双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 - TO-218-3 -

极性 - NPN -

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V -

集电极最大允许电流 - 25A -

最小电流放大倍数(hFE) - 10 @15A, 4V -

额定功率(Max) - 3 W -

封装 - TO-218-3 -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 - Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

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