IXFV96N15P和IXTT96N15P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFV96N15P IXTT96N15P IXFH96N15P

描述 PLUS N-CH 150V 96AN沟道 150V 96AN 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 TO-220-3 TO-268-3 TO-247-3

引脚数 - - 3

通道数 1 1 1

漏源极电阻 24 mΩ 24 mΩ 24 mΩ

耗散功率 480 W 480 W 480 W

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

漏源击穿电压 150 V 150 V 150 V

上升时间 33 ns 33 ns 33 ns

输入电容(Ciss) 3500pF @25V(Vds) 3500pF @25V(Vds) 3500pF @25V(Vds)

下降时间 18 ns 18 ns 18 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 480W (Tc) 480W (Tc) 480W (Tc)

极性 N-CH - -

连续漏极电流(Ids) 96A - -

额定功率(Max) - - 480 W

长度 11 mm 16.05 mm 16.26 mm

宽度 4.7 mm 14 mm 5.3 mm

高度 15 mm 5.1 mm 21.46 mm

封装 TO-220-3 TO-268-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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