对比图
型号 IXSN80N60AU1 IXXN100N60B3H1
描述 IGBT 100A 600V SOT-227BTrans IGBT Chip N-CH 600V 440A 500000mW 4Pin SOT-227B
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Chassis
封装 SOT-227-4 SOT-227-4
引脚数 - 4
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V
输入电容(Cies) 8.5nF @25V 4.86nF @25V
额定功率(Max) 500 W 500 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
耗散功率 - 500000 mW
耗散功率(Max) - 500000 mW
长度 38.3 mm -
宽度 25.07 mm -
高度 9.6 mm -
封装 SOT-227-4 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99