R5021ANJTL和SFF24N50/3T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 R5021ANJTL SFF24N50/3T T5022

描述 LPTS N-CH 500V 21AN-CH 500V 24APower Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE, TO-3, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Solid State Devices Advanced Power Technology

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 3 - -

封装 TO-263-3 - -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 100 W - -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V -

连续漏极电流(Ids) 21A 24A -

上升时间 70 ns - -

输入电容(Ciss) 2300pF @25V(Vds) - -

下降时间 70 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 100W (Tc) - -

封装 TO-263-3 - -

材质 Silicon - -

工作温度 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Not For New Designs Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant - -

含铅标准 Lead Free - -

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