IXFH150N17T和IXFH150N17T2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH150N17T IXFH150N17T2 IXTH150N17T

描述 TO-247 N-CH 175V 150AN沟道 175V 150ATO-247 N-CH 175V 150A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 - 3 -

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 830W (Tc) 880 W 830W (Tc)

漏源极电压(Vds) 175 V 175 V 175 V

连续漏极电流(Ids) 150A - 150A

输入电容(Ciss) 9800pF @25V(Vds) 14600pF @25V(Vds) 9800pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 830W (Tc) 880W (Tc) 830W (Tc)

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 12 mΩ -

阈值电压 - 2.5V ~ 4.5V -

漏源击穿电压 - 175 V -

上升时间 - 16 ns -

下降时间 - 20 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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