BSS295和BSS295E6325

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS295 BSS295E6325

描述 SIPMOS小信号晶体管( N沟道增强模式的逻辑电平) SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)SIPMOS小信号晶体管 SIPMOS Small-Signal Transistor

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类

基础参数对比

封装 TO-92 TO-92

安装方式 Through Hole -

引脚数 3 -

封装 TO-92 TO-92

产品生命周期 Obsolete Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

极性 N-CH -

耗散功率 1 W -

漏源极电压(Vds) 50 V -

连续漏极电流(Ids) 1.4A -

上升时间 20 ns -

输入电容(Ciss) 320pF @25V(Vds) -

下降时间 85 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1000 mW -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台