对比图
型号 FQB34N20LTM IRFS31N20D STB30NF20
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB34N20LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 200 V, 75 mohm, 10 V, 2 VD2PAK N-CH 200V 31ASTMICROELECTRONICS STB30NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 200 V, 0.065 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3
引脚数 2 - 2
额定电压(DC) 200 V 200 V -
额定电流 31.0 A 31.0 A -
极性 N-Channel N-CH N-Channel
产品系列 - IRFS31N20D -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 31.0 A 31.0 A -
上升时间 520 ns 38 ns 15.7 ns
下降时间 370 ns 10 ns 8.8 ns
针脚数 2 - 2
漏源极电阻 75 mΩ - 0.065 Ω
耗散功率 180 W - 125 W
阈值电压 2 V - 3 V
输入电容 3.90 nF - -
栅电荷 72.0 nC - -
漏源击穿电压 200 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
输入电容(Ciss) 3900pF @25V(Vds) - 1597pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.13 W - 125 W
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 3.13 W - 125W (Tc)
通道数 - - 1
封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3
长度 10.67 mm - 10.4 mm
宽度 9.65 mm - 9.35 mm
高度 4.83 mm - 4.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -