对比图
型号 SI5509DC-T1-E3 SI5509DC-T1-GE3
描述 MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
数据手册 --
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 -
封装 SMD-8 SMD-8
极性 N-Channel, P-Channel -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 5.00 A -
输入电容(Ciss) 455pF @10V(Vds) 455pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 4.5 W 4.5 W
封装 SMD-8 SMD-8
长度 - 3.05 mm
宽度 - 1.65 mm
高度 - 1.1 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -