BTS244ZE3062AATMA2和BTS244Z E3062A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BTS244ZE3062AATMA2 BTS244Z E3062A

描述 N沟道 55V 35AMOSFET N-CH 55V 35A TO220-5

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 -

封装 TO-263-5 TO-263-5

通道数 1 -

极性 N-CH -

耗散功率 170W (Tc) 170W (Tc)

阈值电压 1.6 V -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 35A 35.0 A

上升时间 70 ns -

输入电容(Ciss) 2660pF @25V(Vds) 2660pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 170 W 170 W

下降时间 25 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -

耗散功率(Max) 170W (Tc) 170W (Tc)

额定电压(DC) - 55.0 V

额定电流 - 35.0 A

输入电容 - 2.66 nF

栅电荷 - 130 nC

宽度 9.25 mm -

封装 TO-263-5 TO-263-5

工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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