CY14B101Q2-LHXI和CY14B101Q2A-SXIT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY14B101Q2-LHXI CY14B101Q2A-SXIT CY14B101Q2-LHXIT

描述 1 M (x1) 3 v dfn 封装 SPI1兆位( 128千×8 )串行( SPI )的nvSRAM数据保存:20年,在85 ℃下 1-Mbit (128 K x 8) Serial (SPI) nvSRAM Data retention: 20 years at 85 °C1兆位( 128K ×8 )串行SPI的nvSRAM 1 Mbit (128K x 8) Serial SPI nvSRAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 8 8 8

封装 DFN-8 SOIC-8 WDFN-8

耗散功率 1 W 1 W -

存取时间(Max) 9 ns 9 ns 9 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1 W 1 W -

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

工作电压 3 V - -

供电电流 10 mA - -

针脚数 8 - -

时钟频率 40 MHz - -

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 2.7 V - -

封装 DFN-8 SOIC-8 WDFN-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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