IRFS630B和PHP21N06T,127

对比图

型号 IRFS630B PHP21N06T,127 IRFS640B

描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETTO-220AB N-CH 55V 21A200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 - 69 W -

漏源极电压(Vds) 200 V 55 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 9A 21A 18A

上升时间 - 16 ns -

输入电容(Ciss) - 500pF @25V(Vds) -

下降时间 - 13 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 69W (Tc) -

长度 - 10.3 mm -

宽度 - 4.7 mm -

高度 - 9.4 mm -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 - Rail -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free