IXFK21N100Q和IXFN21N100Q

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFK21N100Q IXFN21N100Q APT10050LVFR

描述 TO-264AA N-CH 1000V 21ASOT-227B N-CH 1000V 21ATO-264 N-CH 1000V 21A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 4 -

封装 TO-264-3 SOT-227-4 TO-264

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 500W (Tc) 520 W -

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V

连续漏极电流(Ids) 21A 21A 21A

上升时间 18 ns 18 ns -

输入电容(Ciss) 6900pF @25V(Vds) 5900pF @25V(Vds) -

下降时间 12 ns 12 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 500W (Tc) 520W (Tc) -

额定功率(Max) - 520 W -

封装 TO-264-3 SOT-227-4 TO-264

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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