对比图
型号 BUK7607-30B BUK7607-30B,118
描述 的TrenchMOS标准水平FET TrenchMOS standard level FETD2PAK N-CH 30V 108A
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount
封装 TO-263 TO-263-3
极性 - N-CH
耗散功率 - 157 W
漏源极电压(Vds) - 30 V
连续漏极电流(Ids) - 108A
上升时间 - 51 ns
输入电容(Ciss) - 2427pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 157 W
下降时间 - 44 ns
耗散功率(Max) - 157W (Tc)
封装 TO-263 TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free